Nitreto de gálio ousa desafiar o carbeto de silício, e a briga pode baratear data centers
Um chip de 900 volts promete menos peças, menos energia desperdiçada e transformadores menores, e o alvo declarado são os data centers de IA.
A Infineon e a Enphase Energy anunciaram parceria para levar ao mercado o primeiro chaveador bidirecional de 900 V em chip único de nitreto de gálio (GaN), para uso em transformadores de estado sólido (SST). O salto de 650 V para 900 V permite tratar entrada de média tensão com menos estágios em série: menos chaveadores, menos pontos de falha, menos perda e menos custo.
Hoje, SSTs de média tensão usam carbeto de silício (SiC), que aguenta tensão alta, enquanto o GaN brilha na troca rápida de corrente, e essa frequência alta encolhe transformadores e componentes magnéticos. A Enphase, que diz investir em GaN há mais de 10 anos, quer levar o技术 ao seu IQ SST para data centers de IA; o chip já passou por testes e agora vai para protótipo, com validação de produção ainda por vir.
A tecnologia também pode chegar a inversores solares comerciais, com 480 V trifásico nos EUA e 400 V em outros mercados, e o caminho está aberto para barramentos de 1.500 VCC no futuro.